[发明专利]具有调制碳掺杂氮化镓高阻层的HEMT结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201610859900.0 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN106653839A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 徐明升;王洪;周泉斌 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有调制碳掺杂氮化镓高阻层的HEMT结构及其制备方法。该HEMT结构自下而上依次包括衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、GaNC/GaN超晶格高阻层和AlGaN势垒层；其中高阻层由多层GaNC故意碳掺杂层和非故意掺杂GaN层交替连接组成；单层GaNC故意碳掺杂层的厚度为5‑500nm；单层非故意掺杂GaN层的厚度为5‑500nm。GaNC/GaN超晶格可以提高氮化镓材料的电阻同时不降低其晶体质量，可以提高GaN/AlGaN异质结HEMT器件的耐高压特性、可靠性和寿命等特性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 调制 掺杂 氮化 镓高阻层 hemt 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
具有调制碳掺杂氮化镓高阻层的HEMT结构，其特征在于，该HEMT结构自下而上依次包括衬底、GaN成核层、GaN缓冲层、GaN:C/GaN超晶格高阻层和AlGaN势垒层；其中高阻层由多层GaN：C故意碳掺杂层和非故意掺杂GaN层交替连接组成；单层GaN：C故意碳掺杂层的厚度为5‑500nm；单层非故意掺杂GaN层的厚度为5‑500nm。
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