[发明专利]一种用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液及其制备方法

摘要

一种用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液及其制备方法，重量百分比组成如下：硝酸2～8％，硫酸2～12％，添加剂0.01～2％，余量水，所述添加剂为碱金属盐和有机物的混合物，有机物选用硫脲衍生物、六次甲基四胺、咪唑、苯并三氮唑和2,4,6‑三羟基苯甲酸中的任意一种。本发明的蚀刻液以硝酸和硫酸为主要成分，工艺简单，酸浓度适中，对ITO导电薄膜具有优异的蚀刻性能，蚀刻速率适中，蚀刻精度高无残留，能够满足不同厚度ITO的蚀刻要求。同时采用一种碱金属盐和一种有机物作为添加剂，对下层金属Al或者Mo都具有优异的抗蚀效果，能够很好的满足技术工艺和制程要求。另外，该蚀刻液以低成本硫酸为原料，在满足技术工艺和制程要求的基础上有利于降低蚀刻液的成本。

主权项

1.用于ITO导电薄膜的高精细蚀刻液，其特征在于：所述高精细 蚀刻液的重量百分比组成如下：硝酸2～8%，硫酸2～12%，添加剂0.01～2%，余量水，所述添加剂为碱金属盐和有机物的混合物，有机物选用硫脲衍生物和2,4,6‑三羟基苯甲酸中的任意一种；碱金属盐和有机物的质量比为：0.005‑5:1；碱金属盐选自硝酸锂、醋酸锂、硝酸钠、醋酸钠、磷酸钠和磷酸二氢钠中的任意一种;所述高精细蚀刻液的制备方法包括如下步骤：（1）按比例在混配釜中加入电子级硫酸；（2）在不断搅拌的条件下，按比例加入电子级硝酸，并循环30 min；（3）在不断搅拌的条件下，按比例加入两种添加剂和余量水，并循环5h；（4）将混合液体采用0.1μm过滤器进行过滤后得到ITO蚀刻液。