[发明专利]一种显示用电子器件高导互连电极及其制备方法在审
| 申请号： | 201610861206.2 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN106449425A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 姚日晖;卢宽宽;宁洪龙;胡诗犇;陶瑞强;蔡炜;王磊;徐苗;彭俊彪;吴为敬 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种显示用电子器件高导互连电极及其制备方法。制备方法包括如下步骤：(1)在衬底上沉积铜合金薄膜作为粘附阻挡层；(2)在温度100‑500℃的条件下进行退火；(3)在铜合金薄膜上沉积纯铜薄膜；在温度100‑500℃的条件下进行退火。本发明方法所制备的导电电极具有结合强度高，电阻率低，制备工艺简单的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 显示 用电 器件 互连 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种显示用电子器件高导互连电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在衬底上沉积5‑200nm厚度的铜合金薄膜作为粘附阻挡层；所述铜合金薄膜的材料成分包括铜和铬，以重量百分比计， Cr占合金总量的比例为0.4‑0.6%；（2）在温度100‑500℃的条件下进行退火1h~3h；（3）在铜合金薄膜上沉积5‑1000nm厚度的纯铜薄膜；在温度100‑500℃的条件下进行退火1h~3h。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
