[发明专利]保护以防过热的功率部件有效
申请号: | 201610862478.4 | 申请日: | 2016-09-28 |
公开(公告)号: | CN107293541B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | S·蒙纳德 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(图尔)公司 |
主分类号: | H01L27/08 | 分类号: | H01L27/08;H01L29/747 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 三端双向可控硅开关具有从硅衬底形成的竖直结构,硅衬底具有上侧表面。上侧表面上的主涂敷金属的第一部分置于被形成在第二传导类型的层中的第一传导类型的第一区域上。主涂敷金属的第二部分置于上述层的部分上。上侧表面上的栅极涂敷金属置于在第一区域的附近形成在上述层中的第一传导类型的第二区域上。在上侧表面上形成在上述层中的多孔硅棒具有与栅极涂敷金属接触的第一端以及与主涂敷金属接触的第二端。 | ||
搜索关键词: | 保护 以防 过热 功率 部件 | ||
【主权项】:
一种具有竖直结构的三端双向可控硅开关,包括:硅衬底,具有上侧表面;主金属化层,在所述上侧表面上并且具有第一部分和第二部分,所述第一部分置于被形成在第二传导类型的层中的第一传导类型的第一区域上,并且所述第二部分置于所述层的部分上;栅极金属化层,在所述上侧表面上并且置于在所述第一区域附近被形成在所述层中的所述第一传导类型的第二区域上;以及被形成在所述层中的至少一个多孔硅棒,其中所述多孔硅棒的第一端与所述栅极金属化层接触,并且其中所述多孔硅棒的第二端与所述主金属化层接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(图尔)公司,未经意法半导体(图尔)公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610862478.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有可调节的触发阈值的静电放电保护装置
- 下一篇:半导体器件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的