[发明专利]保护以防过热的功率部件有效

专利信息
申请号: 201610862478.4 申请日: 2016-09-28
公开(公告)号: CN107293541B 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: S·蒙纳德 申请(专利权)人: 意法半导体(图尔)公司
主分类号: H01L27/08 分类号: H01L27/08;H01L29/747
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 三端双向可控硅开关具有从硅衬底形成的竖直结构,硅衬底具有上侧表面。上侧表面上的主涂敷金属的第一部分置于被形成在第二传导类型的层中的第一传导类型的第一区域上。主涂敷金属的第二部分置于上述层的部分上。上侧表面上的栅极涂敷金属置于在第一区域的附近形成在上述层中的第一传导类型的第二区域上。在上侧表面上形成在上述层中的多孔硅棒具有与栅极涂敷金属接触的第一端以及与主涂敷金属接触的第二端。
搜索关键词: 保护 以防 过热 功率 部件
【主权项】:
一种具有竖直结构的三端双向可控硅开关,包括:硅衬底,具有上侧表面;主金属化层,在所述上侧表面上并且具有第一部分和第二部分,所述第一部分置于被形成在第二传导类型的层中的第一传导类型的第一区域上,并且所述第二部分置于所述层的部分上;栅极金属化层,在所述上侧表面上并且置于在所述第一区域附近被形成在所述层中的所述第一传导类型的第二区域上;以及被形成在所述层中的至少一个多孔硅棒,其中所述多孔硅棒的第一端与所述栅极金属化层接触,并且其中所述多孔硅棒的第二端与所述主金属化层接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(图尔)公司,未经意法半导体(图尔)公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610862478.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top