[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201610862591.2 | 申请日： | 2016-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN107039246B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 萧养康;郑圣烨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/311;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，包括：在基板上形成目标层，在目标层上形成均匀间隔的多个参考图案；在参考图案的侧表面上形成多个间隔物；在间隔物之间留有的空间中形成多个填充图案；通过在多个填充图案的一部分上执行第一表面处理，形成表面改性的填充图案；通过在多个参考图案的一部分上执行第二表面处理，形成表面改性的参考图案；以及去除多个填充图案和多个参考图案并在目标层上留下表面改性的填充图案和表面改性的参考图案。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在基板上形成目标层；在所述目标层上形成多个参考图案，其中所述参考图案以均匀的间隔彼此间隔开；形成覆盖所述参考图案的每个的两侧表面的多个间隔物；形成填充所述间隔物之间的空间的多个填充图案；在所述多个填充图案的一部分上执行第一表面处理，以形成表面改性的填充图案；在所述多个参考图案的一部分上执行第二表面处理，以形成表面改性的参考图案；和去除所述多个填充图案和所述多个参考图案而不去除所述表面改性的填充图案和所述表面改性的参考图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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