[发明专利]一种全无机QLED及其制备方法有效
| 申请号： | 201610863081.7 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN106206885B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 程陆玲;杨一行 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种全无机QLED及其制备方法，包括衬底、沉积于衬底上的N型半导体、分别沉积于N型半导体两侧台阶上的量子点和N型电极、依次沉积于量子点上的P型半导体和P型电极；所述N型半导体为n‑GeAs、n‑GeSb、n‑SiAs、n‑SiSb中的一种；所述P型半导体为p‑GeAs、p‑GeSb、p‑SiAs、p‑SiSb中的一种。利用本发明上述半导体材料作为QLED器件的电子和空穴传输层相比基于含氮镓类的半导体结构材料电子迁移率更高，电荷传输率更高，进而有效的提高电子空穴的复合率；并且利用此器件结构来制备全无机QLED不仅制备方法简单，而且可以有效改善器件的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无机 qled 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种全无机QLED，其特征在于，包括：衬底；位于衬底上的N型半导体，所述N型半导体一端具有台阶；位于N型半导体一端台阶上的量子点；位于N型半导体另一端的N型电极；位于量子点上的P型半导体；位于P型半导体上的P型电极；所述N型半导体为n‑GeAs、n‑GeSb、n‑SiAs、n‑SiSb中的一种；所P型半导体为p‑GeAs、p‑GeSb、p‑SiAs、p‑SiSb中的一种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL集团股份有限公司，未经TCL集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610863081.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
