[发明专利]电阻式随机存取存储器、其制造方法及其操作方法在审
| 申请号： | 201610863789.2 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN107887507A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 侯拓宏;胡博瑞;张哲嘉 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 马雯雯,臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电阻式随机存取存储器、其制造方法及其操作方法，包括第一电极、第二电极以及电荷捕捉层。第二电极位于第一电极上。电荷捕捉层位于第一电极与第二电极之间。电荷捕捉层包括第一区域与第二区域。第一区域具有第一掺质并靠近第一电极。第二区域具有第二掺质并靠近第二电极。本发明的电阻式随机存取存储器具有非线性电阻值且不需要额外的选择元件，因此，可缩小面积，进而达到高密度的三维堆叠式RRAM阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 制造 方法 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种电阻式随机存取存储器，包括：第一电极；第二电极，位于所述第一电极上；电荷捕捉层，位于所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述电荷捕捉层包括：第一区域，具有第一掺质并靠近所述第一电极；以及第二区域，具有第二掺质并靠近所述第二电极。
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