[发明专利]一种铸锭多晶硅片铝吸杂的方法

摘要

本发明公开了一种铸锭多晶硅片铝吸杂的方法，其主要步骤如下(1)清洗；(2)真空蒸镀铝层；(3)进炉；(4)第一步退火；(5)匀速降至低温；(6)第二步退火；(7)降温；(8)除去杂质层。经过大量的实验验证，本发明工艺能除去铸锭多晶硅片中大部分的金属杂质(如铁、镍、铜、钴等)，从而增加少子寿命提高太阳能电池的光电转换效率。通过仪器测定，经过本发明铝吸杂的多晶硅片的平均少子寿命在15.80μs左右，并且本发明的铝吸杂工艺较为稳定，有较高的工业化生产价值。

主权项

一种铸锭多晶硅片铝吸杂的方法，其特征在于，包括如下工艺流程：（1）清洗：采用标准的RCA液清洗方式清洗铸锭多晶硅片，去除硅片表面的有机颗粒及金属杂质；（2）真空蒸镀铝层：把清洗过后的多晶硅片放入真空蒸镀设备中进行表面蒸铝，所述的铝层的厚度为1.0~1.5μm；（3）进炉：将镀铝的多晶硅片放入管式退火炉中，并匀速升温至800~830℃，匀速升温速率为5~10℃/min，整个过程在高纯氩气的保护中进行；（4）第一步退火：当温度升到（3）所要求的温度后进行第一次退火，时间为60~80min；（5）匀速降至低温：第一步退火结束后，将管式退火炉的温度匀速降至680~750℃；（6）第二步退火：当温度降至（5）所要求的温度后进行第二次退火，退火时间为60~80min；（7）降温：第二次退火结束后，将管式退火炉的温度匀速降至室温，然后取出硅片；（8）除去杂质层：将上述处理后的铸锭多晶硅片浸入80℃的NaOH溶液中以除去铝硅玻璃杂质层，浸泡时间为15~20min。