[发明专利]一种堆叠式三阶基片集成波导滤波器有效

专利信息
申请号: 201610864483.9 申请日: 2016-09-29
公开(公告)号: CN106410336B 公开(公告)日: 2019-04-09
发明(设计)人: 沈玮;雒寒冰;吴毓颖;张鑫裴;陈桂莲;李振海 申请(专利权)人: 上海航天测控通信研究所
主分类号: H01P1/208 分类号: H01P1/208
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 邵晓丽;胡晶
地址: 200080 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种堆叠式三阶基片集成波导滤波器,其包括:依次堆叠分布的顶面金属层、第一介质基板、第一中间金属层、第二介质基板、第二中间金属层、第三介质基板及底面金属层;第一介质基板、第二介质基板及第三介质基板上分别形成第一谐振腔、第二谐振腔及第三谐振腔;顶面金属层上设置有输入端口,底面金属层上设置有输出端口;第一中间金属层用于调节第一谐振腔与第二谐振腔之间的磁耦合系数,以获取第一传输零点;第二中间金属层用于调节第二谐振腔与第三谐振腔之间的电耦合系数,以获取第二传输零点。本发明的堆叠式三阶基片集成波导滤波器,调节电磁耦合强度,获取额外的传输零点,在不改变现有尺寸同时,大大改善了频选和谐波抑制特性。
搜索关键词: 一种 堆叠 式三阶基片 集成 波导 滤波器
【主权项】:
1.一种堆叠式三阶基片集成波导滤波器,其特征在于,包括:依次堆叠分布的顶面金属层、第一中间金属层、第二中间金属层以及底面金属层,其中,所述顶面金属层与所述第一中间金属层之间、所述第一中间金属层与所述第二中间金属层之间以及所述第二中间金属层与所述底面金属层之间分别设置有:第一介质基板、第二介质基板以及第三介质基板;所述第一介质基板、所述第二介质基板以及所述第三介质基板上分别形成第一谐振腔、第二谐振腔以及第三谐振腔;顶面金属层上设置有输入端口,所述底面金属层上设置有输出端口;所述第一中间金属层上设置有第一开孔以及第一开槽,所述第一中间金属层用于调节所述第一谐振腔与所述第二谐振腔之间的磁耦合系数,以获取第一传输零点;所述第二中间金属层上设置有第二开孔以及第二开槽,所述第二中间金属层用于调节所述第二谐振腔与所述第三谐振腔之间的电耦合系数,以获取第二传输零点;所述第一介质基板、所述第二介质基板以及所述第三介质基板中设置有金属化过孔;所述第一介质基板中的金属化过孔包括多个,且多个所述金属化过孔沿所述第一介质基板的边缘呈阵列排布,以形成所述第一谐振腔;和/或,所述第二介质基板中的金属化过孔包括多个,且多个所述金属化过孔沿所述第二介质基板的边缘呈阵列排布,以形成所述第二谐振腔;和/或,所述第三介质基板中的金属化中的金属化过孔包括多个,且多个所述金属化过孔沿所述第三介质基板的边缘呈阵列排布,以形成所述第三谐振腔。
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