[发明专利]光栅辅助的基于TM模式的微柱腔面发射激光器有效

专利信息
申请号: 201610864498.5 申请日: 2016-09-29
公开(公告)号: CN106329313B 公开(公告)日: 2019-03-12
发明(设计)人: 国伟华;马向;陆巧银 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183
代理公司: 北京华沛德权律师事务所 11302 代理人: 房德权
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及半导体激光器技术领域,提出了一种光栅辅助的基于TM模式的微柱腔面发射激光器。该激光器的谐振腔腔体为支持回音壁模式的微柱腔。微柱腔从上往下包括欧姆接触层、光栅层、上盖层、有源区以及下盖层。光栅层上设的光栅位于微柱腔顶部外沿边,为二阶光栅;有源区采用张应变的量子阱材料,使激光器的工作模式为TM模式;微柱腔的外径最小可为激光器激射波长量级,因此可实现超高速调制。另外该激光器制作简便,只需要一次浅刻蚀二阶光栅就可以实现激光器的选模和输出。本发明具有体积小、检测方便、低成本、易于集成二维阵列、单模工作、阈值电流低、输出光易于与光纤耦合、可以在不同的材料体系上实现、制作简单等诸多优点。
搜索关键词: 光栅 辅助 基于 tm 模式 微柱腔面 发射 激光器
【主权项】:
1.一种光栅辅助的基于TM模式的微柱腔面发射激光器,其特征在于,所述激光器的谐振腔为微柱腔,所述微柱腔具有一定形状,该形状能支持回音壁模式作为激光器的谐振模式;所述微柱腔的外径最小为激光器激射波长量级;所述微柱腔包括欧姆接触层、光栅层、上盖层、有源区和下盖层;所述欧姆接触层连接所述微柱腔的顶部中央,其外沿位于所述微柱腔外沿之内,用于避免给激光器的工作模式造成额外损耗;所述光栅层位于所述微柱腔的顶部外沿,所述光栅层上设有光栅,所述光栅层通过光栅对光场的散射形成激光器垂直方向的输出;所述光栅的周期数M等于所述微柱腔所支持的回音壁模式的角量子数m;所述上盖层位于所述光栅层下方,用来控制所述光栅层与回音壁模式作用的大小,从而控制激光器输出的大小;所述有源区位于所述上盖层下方,用来给所述激光器提供增益,所述有源区采用张应变的量子阱材料,使激光器的工作模式为TM模式即其主要磁场平行于有源区平面;所述下盖层邻接所述有源区下部;所述下盖层位于衬底之上。
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