[发明专利]一种半导体封装体的自然对流换热系数及热阻的侦测方法有效
申请号: | 201610865649.9 | 申请日: | 2016-09-29 |
公开(公告)号: | CN106449453B | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 江伟 | 申请(专利权)人: | 通富微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/467 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 226001 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种半导体封装体的自然对流换热系数及热阻的侦测方法,包括:对所述半导体封装体建立有限元热分析模型;设定一组初始的对流换热系数,并将该组初始的对流换热系数中的每个初始对流换热系数分别对应地加载至所述热分析模型中的对应节点;在特定的环境温度下进行稳态热分析,以得到所述热分析模型中的每个节点的表面温度;根据每个节点的表面温度而得到每个节点的对流换热系数;根据每个节点的对流换热系数和初始的对流换热系数而进行迭代处理,以得到每个节点的自然对流换热系数;根据每个节点的自然对流换热系数而获得所述半导体封装体的热阻。通过上述迭代的方式,本发明能够提高封装产品模拟热阻计算的准确性。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体 封装 自然 对流 系数 侦测 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体封装体的自然对流换热系数的侦测方法,其特征在于,包括:对所述半导体封装体建立有限元热分析模型;设定一组初始的对流换热系数,并将该组初始的对流换热系数中的每个初始对流换热系数分别对应地加载至所述热分析模型中的对应节点;在特定的环境温度下进行稳态热分析,以得到所述热分析模型中的每个节点的表面温度;根据每个节点的表面温度而得到每个节点的对流换热系数;判断每个节点的对流换热系数与其初始的对流换热系数之间差值的绝对值是否小于容差范围值;如每个节点的对流换热系数与其初始的对流换热系数之间差值的绝对值小于所述容差范围值,则迭代处理结束并以每个节点的对流换热系数作为每个节点的自然对流换热系数;否则,则将每个节点的对流换热系数作为每个节点的初始的对流换热系数,并再次在所述特定的环境温度下进行稳态热分析以得到所述热分析模型中的每个节点的表面温度,根据每个节点的表面温度而利用经验对流系数公式以得到每个节点的新的对流换热系数,从而执行下一次的迭代处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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