[发明专利]一种发光二极管外延层及其制备方法有效
| 申请号： | 201610865682.1 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106299070B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 林兓兓;周瑜;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管外延层及其制备方法，先于衬底上利用高温条件先生长P型氮化镓层，获得优良的晶体质量，随后生长发光层和N型氮化镓层。其中N型氮化镓层的生长温度采用与发光层中的垒层温度相同的低温条件进行生长，避免破坏发光层的质量，影响发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延层的制备方法，其特征在于，由如下步骤组成：首先提供一氮化镓衬底；于所述衬底表面高温、低压及低速生长P型氮化镓层；其生长温度高于或等于1000℃，生长压力小于或等于100 torr，生长速率小于或等于0.6μm/h；于所述P型氮化镓层表面生长应力释放层；于所述应力释放层上生长发光层，所述发光层包括量子垒层和量子阱层，所述发光层的量子垒层生长温度小于或等于850℃；于所述发光层表面低温生长N型氮化镓层，其生长温度与所述量子垒层的生长温度相同，为提高低温生长的N型氮化镓层晶体质量，生长用镓源采用三乙基镓；所述P型氮化镓层、应力释放层、发光层和N型氮化镓层组成发光二极管外延层。
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