[发明专利]用于转移微元件的转置头及微元件的转移方法有效
| 申请号： | 201610865728.X | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106449498B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 徐宸科;郑建森;邵小娟;时军朋;林科闯 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于转移微元件的转置头及微元件的转移方法，包括：具有真空路径的腔体，以及具有若干个吸嘴和若干个真空路径部件的套件，所述吸嘴被设置成分别与所述真空路径部件相通，所述真空路径部件被形成为分别与形成于所述腔体中的真空路径相通，且所述吸嘴使用真空压力吸附微元件或释放微元件，所述真空压力经由各通路中的真空路径部件和真空路径传送，其特征在于：当所述套件安装到所述腔体时，套件的上表面设置有光学开关组件，用于控制各通路中的真空路径部件与真空路径的开或关，从而控制吸嘴使用真空压力吸附或释放所需的微元件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 转移 元件 转置头 方法 | ||
【主权项】：
1.用于转移微元件的转置头，包括：具有真空路径的腔体，以及具有若干个吸嘴和若干个真空路径部件的套件，所述吸嘴被设置成分别与所述真空路径部件相通，所述真空路径部件被形成为分别与形成于所述腔体中的真空路径相通，且所述吸嘴使用真空压力吸附微元件或释放微元件，所述真空压力经由各通路中的真空路径部件和真空路径传送，其特征在于：当所述套件安装到所述腔体时，套件的上表面设置有光学开关组件，所述光学开关组件包括DMD芯片，所述DMD芯片包含微反射镜，通过改变微反射镜与套件的上表面之间的夹角，用于控制各通路中的真空路径部件与真空路径的开或关，从而控制吸嘴使用真空压力吸附或释放所需的微元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
