[发明专利]一种紫外光探测器及其制备方法在审
申请号: | 201610866410.3 | 申请日: | 2016-09-30 |
公开(公告)号: | CN106549079A | 公开(公告)日: | 2017-03-29 |
发明(设计)人: | 于乃森;齐岩;杨瑞;董大朋;董希萌;赵昱程;桂婧;闫晗 | 申请(专利权)人: | 大连民族大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/18 |
代理公司: | 大连一通专利代理事务所(普通合伙)21233 | 代理人: | 郭丽华 |
地址: | 116000 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种紫外光探测器,该探测器的石英衬底和透明接触电极之间设有基于氧化镓/氧化锌核壳纳米棒结构层。其中接触电极为沉积在玻璃基底具有0.2cm沟道的ITO导电薄膜;基于氧化镓/氧化锌核壳纳米棒结构层是由ZnO纳米阵列籽晶层和生长于ZnO纳米阵列籽晶层表面的β‑Ga2O3层组成,该β‑Ga2O3层是由形貌为球形的纳米β‑Ga2O3晶体组成,该纳米β‑Ga2O3晶体的平均尺寸为30nm。该核壳纳米棒结构层是以ZnO纳米阵列为载体,采用硝酸镓和六次甲基四胺为原料,首先采用低温水溶液在ZnO表面生长GaOOH前驱体,然后高温加热制备β‑Ga2O3/ZnO核壳纳米棒结构。本发明制备方法简单、反应温度低并且制备出的产品对紫外光有着非常好的光响应。 | ||
搜索关键词: | 一种 紫外光 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种紫外光探测器,其特征在于:该探测器的石英衬底和具有沟道的透明接触电极之间设有基于氧化镓/氧化锌核壳纳米棒结构层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的