[发明专利]原料气体供给装置和原料气体供给方法有效
申请号: | 201610866667.9 | 申请日: | 2016-09-29 |
公开(公告)号: | CN107043927B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 八木宏宪;成嶋健索;松山中成 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/455 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供使固体原料气化而将含有气体的原料气体供给到成膜处理部时使气化的原料的供给量稳定的技术。在用于向原料容器供给运载气体的运载气体供给通路设置有MFC1,在原料气体供给通路设置有MFM3。并且,在向原料气体供给通路供给稀释气体的稀释气体供给通路设置有MFC2。求取从MFM3的测量值减去MFC1的测量值和MFC2的测量值的合计值而得的偏差值,基于从MFM3的测量值减去MFC1的测量值和MFC2的测量值的合计值而得的值,求取减去偏差值的原料的流量的实测值。依据原料的流量的实测值与原料的目标值的差,调整MFC1的设定值而调整运载气体的流量,调整包含于原料气体的原料的量。 | ||
搜索关键词: | 原料 气体 供给 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种原料气体供给装置,其使原料容器内的固体或液体的原料气化而与运载气体一起作为原料气体经由原料气体供给通路供给至对基板进行成膜处理的成膜处理部,所述原料气体供给装置的特征在于,包括:用于对所述原料容器供给运载气体的运载气体供给通路;从所述运载气体供给通路分支,绕过所述原料容器与原料气体供给通路连接的旁通流路;与所述原料气体供给通路中的比所述旁通流路的连接部位靠下游侧的位置连接,用于使稀释气体与原料气体合流的稀释气体供给通路;与所述运载气体供给通路和所述稀释气体供给通路分别连接的第一质量流量控制器和第二质量流量控制器;设置在所述原料气体供给通路中的稀释气体供给通路的合流部位的下游侧的质量流量计测器;将从所述运载气体供给通路至原料气体供给通路的运载气体流路在所述原料容器内与旁通流路间进行切换的切换机构;和控制部,其执行下述步骤:在令所述第一质量流量控制器、第二质量流量控制器和质量流量计测器的流量的各测量值分别为m1、m2和m3时,在将所述运载气体流路切换到旁通流路侧的状态下流通运载气体和稀释气体,求取作为(m3‑(m1+m2))的运算值的偏差值的第一步骤;在将所述运载气体流路切换到原料容器侧的状态下流通运载气体和稀释气体,求取(m3‑(m1+m2))的运算值,从该运算值减去所述偏差值而求取原料的流量的实测值,求取原料的流量的目标值与所述实测值的差值的第二步骤;和基于所述差值与原料的流量的增减量和运载气体的增减量的关系,调整第一质量流量控制器的设定值使得原料的流量成为目标值的第三步骤。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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