[发明专利]一种可降低缺陷密度的碲化镉太阳能电池制备方法在审
| 申请号： | 201610867198.2 | 申请日： | 2016-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN106252432A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 蓝仕虎;何光俊;陈金良;齐鹏飞;唐智勇 | 申请（专利权）人： | 中山瑞科新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 伍传松 |
| 地址： | 528400 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可降低缺陷密度的碲化镉太阳能电池制备方法，包括以下步骤：（A）提供基板；（B）在所述基板上沉积透明导电氧化物薄膜；（C）沉积窗口层硫化镉薄膜；（D）在所述硫化镉薄膜上沉积吸收层碲化镉薄膜；（E）在所述碲化镉薄膜表面喷涂CdCl2溶液，然后进行热处理；（F）对所述经过热处理的碲化镉薄膜用含硝酸的溶液进行刻蚀；（G）对所述刻蚀的碲化镉薄膜进行PECVD等离子体处理以钝化缺陷。本发明的方法是通过在碲化镉薄膜（CdTe）太阳能电池制造过程中，引入等离子体处理，钝化缺陷，有效降低碲化镉薄膜的缺陷密度，提高材料的性能，进一步提高碲化镉薄膜太阳能电池的光电转换效率，从而提高电池性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 缺陷 密度 碲化镉 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种可降低缺陷密度的碲化镉太阳能电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（A）提供基板；（B）在所述基板上沉积用作薄膜电池前电极的透明导电氧化物薄膜；（C）在所述透明导电氧化物薄膜表面沉积窗口层硫化镉薄膜；（D）在所述硫化镉薄膜上沉积吸收层碲化镉薄膜；（E）在所述碲化镉薄膜表面喷涂CdCl2溶液，然后进行热处理；（F）对所述经过热处理的碲化镉薄膜用含硝酸的溶液进行刻蚀；（G）对所述刻蚀的碲化镉薄膜进行PECVD等离子体处理以钝化缺陷；（H）在所述处理后的碲化镉薄膜上沉积缓冲层；（I）在所述缓冲层表面沉积金属背电极；（J）对沉积金属背电极后的电池进行退火层压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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