[发明专利]一种基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器，所述基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器的结构从上到下依次为源漏电极、有机光敏半导体层、量子点薄膜层、栅绝缘层、栅电极和衬底；能够在不增加工艺复杂度并且在简单的设备制备的前提下，有效的提高器件对入射光的收集效率，增强光电转换效率，降低接触电阻和电荷隧穿势垒，从而降低对操作电压的依赖，减少能源损耗，为有机光敏存储器的商业化推广提供一种可行的思路，所述存储器结构同时改进光敏存储器的存储性能和光敏性能；所述存储器结构可采用金属铜作为器件源漏电极，降低了器件制备成本，便于推广、应用。

主权项

1.一种基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器，其特征在于：所述基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器的结构从上到下依次为源漏电极（1）、有机光敏半导体层（2）、量子点薄膜层（3）、栅绝缘层（4）、栅电极（5）和衬底（6），所述量子点薄膜层（3）中的溶质选自硫化铅、硒化铅或硫化锌，所述量子点薄膜层（3）厚5‑20nm；所述栅绝缘层（4）采用的材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化锆、聚苯乙烯PS或聚乙烯吡咯烷酮PVP，所述栅绝缘层（4）的厚度为50~300 nm。