[发明专利]振荡电路有效
| 申请号： | 201610868650.7 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106933296B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 高田幸辅 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/26 | 分类号： | G05F3/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;刘春元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 课题在于提供即使在V/I转换电路中产生任何异常也能限制频率的最大值、最小值的振荡电路。解决方案在于具备：电流控制振荡器，基于输入电流进行振荡；以及电流限制电路，将输入电流与第1恒流和第2恒流的每一个进行比较，若输入电流达到第1恒流，则通过输入电流的路径上所具备的晶体管来限制输入电流的最大电流值，若输入电流下降到第2恒流，则通过与输入电流的路径并联地具备的晶体管，向输入电流的路径加入电流而限制输入电流的最小电流。 | ||
| 搜索关键词： | 振荡 电路 | ||
【主权项】：
一种振荡电路，其特征在于，具备：电流源电路，基于在电源端子与电流输入端子之间的第1电流路径流过的第1电流生成第2电流；以及电流控制振荡器，基于所述第2电流进行振荡，所述电流源电路，具有：第1PMOS晶体管，设在所述第1电流路径，栅极和漏极连接；第2PMOS晶体管，与所述第1PMOS晶体管构成电流反射镜，流过所述第2电流；第3PMOS晶体管，与所述第1PMOS晶体管构成电流反射镜；恒流源，与所述第3PMOS晶体管的漏极连接；以及第4PMOS晶体管，栅极被所述第3PMOS晶体管的漏极的电压控制，该第4PMOS晶体管限制所述第1电流的电流值。
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