[发明专利]钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610868690.1 申请日: 2016-09-30
公开(公告)号: CN106431402B 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 王海欧;霍德璇;苏昆朋;黄帅;王昕 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: C04B35/50 分类号: C04B35/50
代理公司: 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 代理人: 张学彪
地址: 310018 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料,所述超巨磁电阻材料的化学通式为:(PrCLaDSrECaF)MnO3,其中,Mn为金属锰,O为氧,其中,C+D=0.7,E+F=0.3,所述超巨磁电阻材料具有ABO3型钙钛矿晶体结构。本发明还公开了钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料的制备方法。本发明的钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料的控制方法工艺简单,易于实现。制备得到的磁性材料在外加磁场下电阻变化显著,磁电阻较高,金属‑绝缘转变温度及磁电阻最大值在200~300K温度范围内随成分变化连续可调,且本发明的超巨磁电阻材料具有良好的磁电性能。
搜索关键词: 钙钛矿 结构 氧化物 磁电 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种钙钛矿结构锰氧化物基的超巨磁电阻材料,其特征在于,所述超巨磁电阻材料的化学通式为:(PrCLaDSrECaF)MnO3,其中,Mn为金属锰,O为氧,其中,C+D=0.7,E+F=0.3,所述超巨磁电阻材料具有ABO3型钙钛矿晶体结构。
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