[发明专利]一种基于光子晶体结构的QLED及制备方法在审
| 申请号： | 201610868897.9 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106206976A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 李龙基;曹蔚然;钱磊 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于光子晶体结构的QLED及制备方法。所述QLED从下至上依次包括：基板、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和顶电极；所述空穴注入层为具有光子晶体结构的空穴注入层。本发明在空穴注入层中制作光子晶体结构，利用光子晶体的表面效应，即全反射作用和量子点发射光与光子晶体表面状态的耦合作用，从而有效利用量子点射向金属电极一侧的光，提高量子点发光二极管的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光子 晶体结构 qled 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于光子晶体结构的QLED，其特征在于，从下至上依次包括：基板、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和顶电极；所述空穴注入层为具有光子晶体结构的空穴注入层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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