[发明专利]一次性外加硅冶炼高硅低碳硅锰合金的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610870045.3 申请日: 2016-09-30
公开(公告)号: CN106544562A 公开(公告)日: 2017-03-29
发明(设计)人: 于国安;于金圣 申请(专利权)人: 石嘴山市宝利源特种合金有限公司
主分类号: C22C22/00 分类号: C22C22/00;C22B4/06
代理公司: 银川长征知识产权代理事务所 64102 代理人: 马长增
地址: 750001 宁夏回族自治区石*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要: 发明属于铁合金制备技术领域,涉及一种一次性外加硅冶炼高硅低碳硅锰合金的制备方法;原料包括锰矿石、外加硅、焦炭、白云石、萤石,将配制好的原料连续加入矿热炉内加热至熔化,将熔化的液态合金注入双阶梯包、镇静5‑8分钟,排渣,将双阶梯包中的液体合金倒包后浇铸,制得组分质量百分含量为Mn55%‑65%、Si25%‑30%、P0.05‑0.1%、S0.01%‑0.03%、C0.05%‑0.5%的高硅低碳硅锰合金;产品质量得到提高,降低碳耗、节约电能,同时能够控制住电极的下插深度,降低矿热炉表面温度,提高矿热炉使用寿命,降低生产成本。
搜索关键词: 一次性 外加 冶炼 高硅低碳硅锰 合金 制备 方法
【主权项】:
1.一次性外加硅冶炼高硅低碳硅锰合金的制备方法,其特征在于:原料包括锰矿石、外加硅、焦炭、白云石、萤石;将30%-40%的锰矿石、8%-12%的外加硅、0.05%-2%的白云石和萤石以及锰矿石重量的22%-26%的焦炭连续加入矿热炉内加热至熔化,矿热炉温度为1600℃-2000℃,冶炼200-300分钟后;将熔化的液态合金注入双阶梯包、镇静5-8分钟,排渣;将双阶梯包中的液体合金倒包后浇铸;制得组分质量百分含量为Mn 60%-65%、Si25%-27%、P 0.1%、S 0.01%-0.03%、C 0.2%-0.3%的高硅低碳硅锰合金。
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