[发明专利]一种无压烧结碳化硅陶瓷的制备方法在审
| 申请号： | 201610871057.8 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN106431414A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈涵;黄威;刘峰 | 申请（专利权）人： | 连云港东渡碳化硅有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/634;C04B35/64 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司11614 | 代理人： | 尹慧晶 |
| 地址： | 222300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无压烧结碳化硅陶瓷的制备方法，该方法以SiC粉体、二氧化硅、氧化铝、三氧化二钇、稀土氧化物和晶种为原料，通过分步分散和复合分散剂来实现各种烧结助剂成分与碳化硅粉体均匀，该方法可满足在无压烧结条件下以较少的烧结助剂添加量来制备致密碳化硅陶瓷的需要。能显著减少SiC陶瓷体中残留的玻璃相含量，提高陶瓷体的强度、韧性、热导率性等性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 烧结 碳化硅 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种无压烧结碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于以SiC粉体、二氧化硅、氧化铝、三氧化二钇、稀土氧化物和晶种为原料，包括以下步骤：(1)将SiC粉体、聚合物电解质分散剂、水混合均匀，得到SiC料浆；(2)将二氧化硅、氧化铝、三氧化二钇分别加聚合物电解质分散剂和水，混合均匀，制得三种料浆，再将三种料浆混合均匀，获得烧结助剂料浆；(3)将SiC料浆、烧结助剂料浆混合，并加入稀土氧化物、晶种、小分子型分散剂，混合均匀成为原料料浆；(4)在原料料浆中加入聚乙二醇，混合均匀，通过喷雾干燥制得造粒粉料，经100～300MPa压制成型为坯体，再将坯体用与原料相同的SiC粉体完全覆盖，于N2或Ar气氛中1750～1950℃条件下烧成，得到SiC陶瓷制品。
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