[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201610871299.7 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107887425B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置的制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：提供半导体衬底；刻蚀该半导体衬底以形成鳍片，该鳍片的两侧形成沟槽；形成填充该沟槽的刻蚀引导层；刻蚀该刻蚀引导层以露出鳍片的一部分；选择性刻蚀鳍片使得该鳍片与该刻蚀引导层上表面邻接的部分被去除，从而形成纳米线；以及形成包绕该纳米线的栅极结构。通过本发明的方法形成了环栅纳米线器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；刻蚀所述半导体衬底以形成鳍片，所述鳍片的两侧形成沟槽；形成填充所述沟槽的刻蚀引导层；刻蚀所述刻蚀引导层以露出所述鳍片的一部分；选择性刻蚀所述鳍片使得所述鳍片与所述刻蚀引导层上表面邻接的部分被去除，从而形成纳米线；以及形成包绕所述纳米线的栅极结构。
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