[发明专利]一种保护电路在审
| 申请号： | 201610871407.0 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106384992A | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 何震宇;戴大为 | 申请（专利权）人： | 深圳天珑无线科技有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/08 | 分类号： | H02H3/08;H02H3/20 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司11444 | 代理人： | 王刚,龚敏 |
| 地址： | 518053 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种保护电路，所述电路采用分立器件代替过压保护芯片，能够降低成本。本发明提供了一种保护电路，所述电路包括第一电阻，所述第一电阻的一端连接于输入电压，另一端连接于第二电阻和PNP三极管的基极；第二电阻，所述第二电阻的一端连接于所述第一电阻和所述PNP三极管的基极，另一端接地；PNP三极管，所述PNP三极管的发射极连接于所述输入电压，集电极连接于MOS管的栅极；MOS管，所述MOS管的漏极连接于所述输入电压，源极连接于输出电压。本发明实施例适用于电子产品充电过程中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 保护 电路 | ||
【主权项】：
一种保护电路，其特征在于，包括：第一电阻，所述第一电阻的一端连接于输入电压，另一端连接于第二电阻和PNP三极管的基极；第二电阻，所述第二电阻的一端连接于所述第一电阻和所述PNP三极管的基极，另一端接地；PNP三极管，所述PNP三极管的发射极连接于所述输入电压，集电极连接于MOS管的栅极；MOS管，所述MOS管的漏极连接于所述输入电压，源极连接于输出电压。
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