[发明专利]一种在光子晶体光纤上制备布拉格光栅的方法有效
申请号: | 201610871589.1 | 申请日: | 2016-09-29 |
公开(公告)号: | CN106338788B | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 汪超;何俊;王义平;靳伟 | 申请(专利权)人: | 深圳大学 |
主分类号: | G02B5/18 | 分类号: | G02B5/18;G02B6/02 |
代理公司: | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人: | 王利彬 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明适用于光栅制备技术领域,提供了一种在光子晶体光纤上高效制备布拉格光栅的方法,所述方法包括:选择性膨胀加工步骤,将光子晶体光纤的待加工光栅区进行选择性膨胀加工,以使所述光子晶体光纤的待加工光栅区的部分包层孔崩塌,形成局部的简化包层区;制备布拉格光栅步骤,在光子晶体光纤的简化包层区进行激光刻栅,从而形成布拉格光栅。本发明提供的方法解决了在光子晶体光纤上制备布拉格光栅时,其包层孔会对侧面加工激光造成较强散射,导致光子晶体光纤加工光栅效率极低的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 光子 晶体 光纤 高效 制备 布拉格 光栅 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在光子晶体光纤上制备布拉格光栅的方法,其特征在于,所述方法包括:选择性膨胀加工步骤:将光子晶体光纤的待加工光栅区进行选择性膨胀加工,以使所述光子晶体光纤的待加工光栅区的部分包层孔崩塌,形成局部的简化包层区;制备布拉格光栅步骤:在光子晶体光纤的简化包层区进行激光刻栅,从而形成布拉格光栅;其中,所述选择性膨胀加工步骤中,形成简化包层区的步骤具体包括:步骤S11,用选择性开孔技术在一段光子晶体光纤的一端选择性开放若干个孔,而堵住其它微孔;所述若干个孔依光纤截面圆心呈现圆对称分布,并沿光纤轴延伸至整段光子晶体光纤另一端;并将光子晶体光纤的另一端与单模光纤熔接,以堵住所述光子晶体光纤另一端的包层孔;步骤S12,通过光子晶体光纤一端的选择性开孔对整段光子晶体光纤进行充气来进行加压;步骤S13,在光子晶体光纤的待加工光栅区加热光子晶体光纤至软化温度,并同时轴向拉伸所述光子晶体光纤,在光纤内部的气压和材料表面张力的共同作用下逐渐形成简化包层区。
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