[发明专利]半导体制作工艺在审
| 申请号： | 201610871614.6 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106356304A | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛;陆阳;任远程;周逊伟 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子（张家港）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 杭州裕阳专利事务所(普通合伙)33221 | 代理人： | 应圣义 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体制作工艺，包括以下步骤在场氧形成后，生长厚氧化层；在生长厚氧化层之后，利用n阱光刻板和p阱光刻板，分别进行n阱注入和p阱注入，并去掉厚氧化层；在去掉厚氧化层之后，生长栅氧，并在生长的栅氧上淀积多晶硅，并刻蚀形成栅形，然后进行源极和漏极注入。本发明利用形成的厚氧化层，可以降低靠近场氧的厚氧化层下方的硅中产生的电场，从而在不增加LDMOS的导通阻抗以及工艺制作成本的前提下，提高LDMOS的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：在场氧形成后，生长厚氧化层；在生长所述厚氧化层之后，利用n阱光刻板和p阱光刻板，分别进行n阱注入和p阱注入，并去掉所述厚氧化层；在去掉所述厚氧化层之后，生长栅氧，并在生长的栅氧上淀积多晶硅，并刻蚀形成栅极，然后进行源极和漏极注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
