[发明专利]OLED显示屏及其制造方法有效
| 申请号： | 201610871920.X | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106206675B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 李瑶 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种OLED显示屏及其制造方法，在基板上形成磁致伸缩材料层，所述磁致伸缩材料层位于相邻像素区间，形成共用层覆盖所述磁致伸缩材料层及多个像素区，通过改变所述磁致伸缩材料层的周边磁场强度，使得所述磁致伸缩材料层发生伸缩，从而使得所述共用层在相邻像素区间发生断裂，由此便可避免相邻像素由于别的像素影响也会工作，即降低了OLED显示屏的像素串扰问题。 | ||
| 搜索关键词： | oled 显示屏 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种OLED显示屏，其特征在于，所述OLED显示屏包括：基板，所述基板上具有多个像素区；形成于所述基板上的磁致伸缩材料层，所述磁致伸缩材料层位于相邻像素区间；及覆盖所述多个像素区及所述磁致伸缩材料层的共用层；其中，所述共用层由于所述磁致伸缩材料层的伸缩而在相邻像素区间发生断裂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山国显光电有限公司，未经昆山国显光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610871920.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
