[发明专利]存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备

摘要

公开了一种存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备。根据实施例，存储器件可以包括在衬底上依次叠置的多个存储单元层，每一存储单元层包括第一存储单元的第一阵列以及第二存储单元的第二阵列，第一阵列和第二阵列彼此嵌套。各存储单元层中的第一、第二存储单元分别沿着存储单元层的叠置方向彼此实质上。每个第一存储单元是基于依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层的竖直器件。每个第二存储单元是基于沿叠置方向延伸的有源半导体层的竖直器件。每个第一存储单元和每个第二存储单元分别包括各自的存储栅堆叠，它们共用栅导体层。同一存储单元层中的栅导体层成一体。

主权项

一种存储器件，包括在衬底上依次叠置的多个存储单元层，每一存储单元层包括第一存储单元的第一阵列，每个第一存储单元包括有源半导体层以及绕有源半导体层外周形成的第一存储栅堆叠，各存储单元层中的第一存储单元沿着存储单元层的叠置方向彼此实质上对准，其中，对于各第一存储单元，其有源半导体层与下层的相应第一存储单元以及上层的相应第一存储单元各自的有源半导体层一体延伸，其特征在于：每一存储单元层还包括第二存储单元的第二阵列，其中，第一阵列和第二阵列彼此嵌套，各存储单元层中的第二存储单元沿着存储单元层的叠置方向彼此实质上对准，其中，每个第二存储单元包括：依次叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，沟道层包括与第一、第二源/漏层不同的半导体材料；以及绕沟道层的外周形成的第二存储栅堆叠，其中，同一存储单元层中各第二存储栅堆叠中的栅导体层成一体，以及其中，对于各第二存储单元，其第一源/漏层与下层的相应第二存储单元的第二源/漏层一体，其第二源/漏层与上层的相应第二存储单元的第一源/漏层一体，其中，在同一存储单元层中，第一存储栅堆叠与第二存储栅堆叠包括公共的栅导体层。