[发明专利]存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备在审
| 申请号： | 201610872924.X | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106298679A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种存储器件及其制造方法及包括该存储器件的电子设备。根据实施例，存储器件可以包括：在衬底上形成的向上延伸的多个第一柱状有源区和多个第二柱状有源区，其中，第一、第二柱状有源区分别排列为第一、第二阵列，每一第一柱状有源区包括源/漏层和沟道层的交替堆叠，该堆叠的最下方和最上方均是源/漏层，各第一柱状有源区中相应的沟道层处于实质上相同的平面上，且相应的源/漏层处于实质上相同的平面上，每一第二柱状有源区包括一体延伸的有源半导体层；分别与沟道层所在的各平面处于实质上相同的平面中的多层第一存储栅堆叠，各层第一存储栅堆叠分别环绕相应平面上各沟道层的外周；环绕各第二柱状有源区外周的多层第二存储栅堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 制造 方法 包括 电子设备 | ||
【主权项】：
一种存储器件，包括：在衬底上形成的从衬底向上延伸的多个第一柱状有源区和多个第二柱状有源区，其中，第一柱状有源区排列为第一阵列，第二柱状有源区排列为第二阵列，每一第一柱状有源区包括源/漏层和沟道层的交替堆叠，该堆叠的最下方是源/漏层，最上方是源/漏层，各第一柱状有源区中相应的沟道层处于实质上相同的平面上，且相应的源/漏层处于实质上相同的平面上，每一第二柱状有源区包括一体延伸的有源半导体层，分别与沟道层所在的各平面处于实质上相同的平面中的多层第一存储栅堆叠，其中，各层第一存储栅堆叠分别环绕相应平面上各沟道层的外周，以及环绕各第二柱状有源区外周的多层第二存储栅堆叠。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610872924.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种控制栅耦合系数的提升方法
- 下一篇：环保快拼电梯门套
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
