[发明专利]半导体器件以及具有该半导体器件的反相器

摘要

本发明公开了一种CMOS器件和CMOS反相器。CMOS器件包括：衬底，其具有在第一方向上延伸且由器件隔离层限定的有源线，所述衬底被划分为NMOS区、PMOS区以及介于NMOS区与PMOS区之间且具有器件隔离层而不具有有源线的边界区；栅线，其在第二方向上延伸与有源线交叉，并且具有位于NMOS区中的有源线上的第一栅极结构、位于PMOS区中的有源线上的第二栅极结构以及位于边界区中的器件隔离层上的第三栅极结构。第三栅极结构的电阻和寄生电容小于第一栅极结构和第二栅极结构的电阻和寄生电容。因此，可获得CMOS器件更好的AC性能和DC性能。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底，其划分为具有不同的导电类型的第一区和第二区，并且具有在第一方向上延伸并由器件隔离层限定的多条有源线；以及栅线，其在第二方向上延伸与多条有源线交叉，所述栅线包括：第一栅极结构，其位于所述多条有源线当中在衬底的第一区中的第一有源线上；第二栅极结构，其位于所述多条有源线当中在衬底的第二区中的第二有源线上；以及第三栅极结构，其位于衬底的第三区中的器件隔离层上，所述第三区介于第一区与第二区之间不具有源线，第三栅极结构的组成不同于第一栅极结构和第二栅极结构的组成。