[发明专利]基于激光纳米加工技术的埋置芯片互连方法有效
| 申请号： | 201610873911.4 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN106409690B | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 罗燕;张诚;丁蕾;吴毓颖;王立春 | 申请（专利权）人： | 上海航天电子通讯设备研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 200082 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于激光纳米加工技术的埋置芯片互连方法，包括以下步骤：S1：选择一基板；S2：在所述基板上通过介质层光刻及金属化布线实现多层电路的连接形成布线层，在形成布线层时，根据芯片在所述布线层中的预设位置，采用激光纳米加工技术在所述基板上的相应位置处开设埋置槽，并将芯片安装于所述埋置槽中；S3：将芯片与布线层进行互连。并根据芯片位于布线层的位置具体分为芯片先置型埋入、芯片中置型埋入及芯片后置型埋入三种情况。本发明基于激光纳米加工技术，为芯片埋置提供了高效率与高精度的加工方法，解决了化学方法周期长程序繁琐的问题，实现芯片在基板或布线层埋置及互连的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 激光 纳米 加工 技术 芯片 互连 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于激光纳米加工技术的埋置芯片互连方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：选择一基板；S2：在所述基板上通过介质层光刻及金属化布线实现多层电路的连接形成布线层，在形成布线层时，根据芯片在所述布线层中的预设位置，采用激光纳米加工技术在所述基板上的相应位置处开设埋置槽，并将芯片安装于所述埋置槽中；S3：将芯片与布线层进行互连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
