[发明专利]一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法有效
| 申请号： | 201610874047.X | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106444307B | 公开（公告）日： | 2017-11-21 |
| 发明（设计）人： | 孙丞;杨国文 | 申请（专利权）人： | 西安立芯光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710077 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法，首先，从某一批衬底对应的外延片中任意挑选一片，进行光刻、腐蚀、研磨、解理；其中，在光刻工艺完成后测量光刻图形与晶圆平边之间的偏转角度，在解理工艺完成后测量解理边与光刻图形之间的偏转角度，计算得出晶圆平边与解理边之间的偏转角度；然后，根据计算出的晶圆平边与解理边之间的偏转角度，在作业该衬底批次后续晶圆的第一步光刻时，人为地对晶圆平边与解理边之间的偏转进行补偿。本发明提出一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法，消除了晶圆平边和解理边的偏转不可控的因素，有效提高砷化镓激光芯片的成品率，且实现成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 激光 芯片 制造 中平 补偿 对准 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种用于激光芯片制造中平边补偿对准的光刻方法，其特征在于：首先，从某一批衬底对应的外延片中任意挑选一片，进行光刻、腐蚀、研磨、解理；其中，在光刻工艺完成后测量光刻图形与晶圆平边之间的偏转角度，在解理工艺完成后测量解理边与光刻图形之间的偏转角度，计算得出晶圆平边与解理边之间的偏转角度；然后，根据计算出的晶圆平边与解理边之间的偏转角度，在作业该批衬底后续晶圆的第一步光刻时，人为地对晶圆平边与解理边之间的偏转进行补偿。
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