[发明专利]一种交流开关及其制造方法在审
| 申请号： | 201610874341.0 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106340539A | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 刘宗贺;邹有彪;王泗禹;徐玉豹 | 申请（专利权）人： | 安徽富芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/747;H01L21/332 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 230031 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种交流开关，包括N型半导体基体、P型扩散区、P+型扩散隔离区、N+扩散区、凹槽、钝化区、电极T1、门极G、电极T2，所述交流开关是一种采用单一负向门极触发的双向可控硅交流开关，门极区只有N+扩散层结构，只有所述G电极上加相对于所述T1电极为负的电压时可控硅才能触发导通。本发明的交流开关是一种仅工作在Ⅱ、Ⅲ象限触发的双向可控硅，具有灵敏度高、抗干扰能力强的特点，同时该双向可控硅管脚排布与现有交流开关应用线路兼容，具有通用、节约成本的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 交流 开关 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种交流开关，包括N型半导体基体、P型扩散区、P+型扩散隔离区、P+型扩散区、N+扩散区、凹槽、钝化区、电极T1、门极G、电极T2，其特征在于：该交流开关是采用单一负向门极触发的双向可控硅交流开关，门极区只有N+扩散层结构，只有所述G电极上加相对于所述T1电极为负的电压时可控硅能触发导通，只能工作在Ⅱ或Ⅲ象限。
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