[发明专利]一种低电容功率TVS器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种低电容功率TVS器件，属于半导体防护器件领域，所述低电容功率TVS器件是由功率TVS二极管和低电容二极管串联的单片集成器件，包括N型半导体基体、N+型扩散层、P+型扩散层、离子注入区、钝化层、金属层。本发明将功率TVS二极管和低电容的二极管串联集成在单一芯片上，使封装简单化，提高封装的良率，采用高阻N型半导体衬底制造，降低器件的结电容，避免通信信号失真，同时通过控制离子注入量，控制器件的反向击穿电压为75‑100V。

主权项

1.一种低电容功率TVS器件，其特征在于：包括N型半导体基体、N+型扩散层、P+型扩散层、离子注入区、钝化层、金属层；所述N型半导体基体位于器件的中间，所述N+型扩散层位于N型半导体基体的下表面，所述P+型扩散层位于所述N型半导体基体的上表面，在所述P+型扩散层的内部分布有所述N+型扩散层，所述离子注入区介于所述P+型扩散层和所述N型半导体基体之间的区域，所述钝化层位于所述N型半导体基体上部两侧的凹槽内，所述金属层分别位于所述P+型扩散层内的N+型扩散层的上表面和所述N型半导体基体下部的N+型扩散层的下表面；所述低电容功率TVS器件是功率TVS二极管和低电容二极管串联的单片集成器件；电极T1与P+型扩散层上部的N+型扩散层上表面的金属层连接，电极T2与N型半导体基体下部的N+型扩散层下表面的金属层连接；当电极T1上的浪涌电压高于电极T2上的浪涌电压时，器件上部的P+型扩散层和位于P+型扩散层内的N+型扩散层构成的PN结处于反偏状态，而P+型扩散层和N型半导体基体构成的PN结处于正偏状态，瞬态浪涌高压使反偏的PN结发生雪崩击穿，同时雪崩击穿结和正偏的PN结将浪涌电流泄放；当电极T1上不出现浪涌电压，电极T2相对于电极T1加高电压时，器件上部的P+型扩散层和N型离子注入区构成的PN结处于反偏状态，通过控制N型离子注入区的浓度可以将器件的反向工作电压控制在75‑100V之间。