[发明专利]沟槽型MOSFET栅极刻蚀工艺方法在审
| 申请号： | 201610874740.7 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106252218A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 丛茂杰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/306;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型MOSFET栅极刻蚀工艺方法，所述栅极为多晶硅材质，在沟槽内完成多晶硅淀积填充之后，其刻蚀工艺包含两步：首先第一步刻蚀采用各向同性刻蚀，降低台阶高度，第一步的刻蚀量占总刻蚀量的25％～75％；然后再进行第二步的各向异性刻蚀，台阶的高度保持不变。本发明通过各向同性及各向异性两步刻蚀工艺，首先通过第一步各向同性的刻蚀降低台阶的高度，然后再一次各向同性刻蚀使台阶高度维持不变，改善了硅片表面的平坦性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 栅极 刻蚀 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型MOSFET栅极刻蚀工艺方法，所述栅极为多晶硅，沟槽内填充满多晶硅，其特征在于：多晶硅填充完之后，所述多晶硅的刻蚀工艺包含两步：首先第一步刻蚀采用各向同性刻蚀；然后再进行第二步的各向异性刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610874740.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
