[发明专利]防止衬底杂质外扩散的方法在审
| 申请号： | 201610874748.3 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106384710A | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 丛茂杰;康志潇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种防止衬底杂质外扩散的方法，是在外延生长之前，先在衬底侧面形成氧化膜及氮化膜，然后再进行外延生长。具体包含第1步，将背面具有背封氧化层的衬底进行氧化膜生长；第2步，继续进行一层氮化膜生长；第3步，对衬底表面氮化膜进行刻蚀，第4步，对衬底表面氧化膜进行刻蚀。本发明通过在衬底侧面形成氧化膜加氮化膜的包裹，在外延生长时能避免衬底中的杂质从侧壁向外扩散而导致硅片边缘管芯电特性不稳定的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 衬底 杂质 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种防止衬底杂质外扩散的方法，其特征在于，在外延生长之前，先在衬底侧面形成氧化膜和氮化膜，然后再进行外延生长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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