[发明专利]CMP全工艺过程金属膜厚数据的离线处理方法有效
申请号: | 201610874828.9 | 申请日: | 2016-09-30 |
公开(公告)号: | CN106298576B | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 李弘恺;刘乐;田芳馨;王同庆;李昆;路新春;雒建斌 | 申请(专利权)人: | 清华大学;天津华海清科机电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B7/06 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提出一种CMP全工艺过程金属膜厚数据的离线处理方法,包括:读取电涡流传感器的输出信号,根据输出信号计算采样信号;设定采样信号的幅度阈值;根据幅度阈值,遍历所有采样信号,以得到全部非零点信号段;计算每个非零点信号段的信号宽度,根据信号宽度确定采样信号的宽度阈值;根据幅度阈值和宽度阈值,重新遍历测量过程中的全部非零信号段,提取有效测量信号段,计算每个有效测量信号段的中心区间的全部数据点的平均值;根据平均值得到CMP全工艺过程金属膜厚的变化信息。本发明可有效消除测量过程中的干扰信号和部分异常信号的影响,能够简洁高效地计算出真实的铜层厚度变化,且计算结果精确度高。 | ||
搜索关键词: | cmp 工艺 过程 金属膜 数据 离线 处理 方法 | ||
【主权项】:
1.一种CMP全工艺过程金属膜厚数据的离线处理方法,其特征在于,包括以下步骤:读取测量过程中电涡流传感器的输出信号,并根据所述输出信号计算出采样信号,其中,所述采样信号包括测量信号和零点信号,在测量过程中,当所述电涡流传感器的探头在晶圆表面铜层下方的运动区域时,由所述电涡流传感器的输出信号得到的采样信号为测量信号;当所述电涡流传感器的探头不在晶圆表面铜层下方的运动区域时,由所述电涡流传感器的输出信号得到的采样信号为零点信号;设定所述采样信号的幅度阈值;根据所述幅度阈值,遍历所述测量过程中的所有采样信号,以得到全部非零点信号段;计算每个非零点信号段的信号宽度,并根据所有非零点信号段的信号宽度确定所述采样信号的宽度阈值;根据所述幅度阈值和宽度阈值,重新遍历测量过程中的全部非零点信号段,以提取有效测量信号段,并计算每个有效测量信号段的中心区间的全部数据点的平均值;根据所有有效测量信号段的中心区间的全部数据点的平均值得到所述CMP全工艺过程的金属膜厚变化信息。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造