[发明专利]耗尽型栅极衬底凸出的P型MOS管的制造方法

摘要

本发明公开了一种耗尽型栅极衬底凸出的P型MOS管的制作方法，包括：在晶圆上之上进行磷离子注入过程，形成N型掺杂的硅衬底；进行浅槽隔离工艺；进行栅衬底凸出部分的刻蚀过程；进行P型掺杂层的注入，此步骤的注入过程形成超浅结，注入硼离子。生长多晶硅栅；形成侧墙；进行源、漏注入工艺；在本发明所述的方法生长的结构中，栅极的衬底向上凸出，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。这种设计可以大幅改善电路控制并减少漏电流，也可以大幅缩短晶体管的闸长。且本发明增加了连接源区和漏区的掺杂层，使得P型掺杂的源区和漏区更易导通。

主权项

一种耗尽型栅极衬底凸出的P型MOS管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在晶圆上之上进行磷离子注入过程，形成N型掺杂的硅衬底；步骤2、进行浅槽隔离工艺，刻蚀隔离槽，之后再隔离槽之内进行氧化物填充过程，最后进行氧化物平坦化的过程；步骤3、进行栅衬底凸出部分的刻蚀过程；首先在步骤2所得到的结构上，生长一层N型掺杂的硅，其高度与栅衬底凸出部分的高度相等；之后通过光刻胶将栅衬底部分覆盖；最后通过刻蚀技术，将除光刻胶之外的地方刻蚀；步骤4、进行P型掺杂层的注入，在栅衬底凸出部分之下注入硼离子，形成P型掺杂的超浅结；步骤5、生长多晶硅栅；首先生长栅氧化层，之后沉积多晶硅，并通过光科技术将多晶硅栅部分覆盖，最后通过刻蚀技术，将除光刻胶之外的地方刻蚀；步骤6、形成侧墙；首先沉积一层二氧化硅，之后使用干法离子刻蚀技术除掉除去侧墙部分之外的二氧化硅；步骤7、进行源、漏注入工艺；注入硼离子，形成源极和漏极的P型掺杂区域，且漏极和源极都与P型掺杂层相连通。