[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以包括：多层源极层、导电图案、层间绝缘层、以及沟道柱。多层源极层可以包括：下源极层、层间源极层、以及上源极层。导电图案和层间绝缘层可以交替地设置于多层源极层上。沟道柱可以穿透导电图案。层间绝缘层、上源极层、以及层间源极层、沟道柱可以延伸到下源极层。沟道柱可以与层间源极层接触。具有各种结构的掺杂区可以形成在沟道柱的下部，从而提高半导体器件的操作可靠性。

主权项

一种半导体器件，所述半导体器件包括：多层源极层，所述多层源极层包括下源极层、层间源极层和上源极层；导电图案和层间绝缘层，所述导电图案和所述层间绝缘层交替地布置在所述多层源极层上；以及沟道柱，所述沟道柱穿透所述导电图案、所述层间绝缘层、所述上源极层以及所述层间源极层，所述沟道柱延伸到所述下源极层，所述沟道柱与所述层间源极层接触，其中，所述沟道柱包括：第一掺杂区，所述第一掺杂区包括第一掺杂剂并与所述层间源极层交叠，以及第二掺杂区，所述第二掺杂区包括第二掺杂剂，并且与所述导电图案中的从最低层开始的至少一层交叠。