[发明专利]晶圆表面铜层厚度多点测量系统有效
申请号: | 201610875764.4 | 申请日: | 2016-09-29 |
公开(公告)号: | CN106449454B | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 李弘恺;刘乐;路新春;雒建斌;沈攀;王同庆;李昆 | 申请(专利权)人: | 清华大学;天津华海清科机电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 11201 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 张大威 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶圆表面铜层厚度多点测量系统,包括:机械臂;晶圆转盘,用于吸附晶圆并带动晶圆旋转;电涡流传感器,传感器探头设置于机械臂上,以随机械臂直线运动;控制模块,用于根据XY模式或全局模式控制晶圆的旋转运动与传感器探头的直线运动相互配合,以完成晶圆表面铜层的多点测量。该测量系统可以通过电涡流检测方法多点测量晶圆铜层厚度,从而对晶圆表面铜层厚度进行准确有效的测量,进而为后续的工艺参数优化提供可靠依据,提高了测量的准确度。 | ||
搜索关键词: | 表面 厚度 多点 测量 系统 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆表面铜层厚度多点测量系统,其特征在于,包括:/n机械臂;/n晶圆转盘,用于吸附晶圆并带动所述晶圆旋转;/n电涡流传感器,传感器探头设置于所述机械臂上,以随所述机械臂直线运动,以及/n控制模块,用于根据XY模式或全局模式控制晶圆的旋转运动与所述传感器探头的直线运动相互配合,以完成晶圆表面铜层的多点测量,其中,当处于所述XY模式时,以第一采样率和探头运动速率测量晶圆表面两条垂直直径上多个测量点的厚度值,当处于所述全局模式时,以第二采样率和晶圆旋转速率测量所述晶圆表面以同心圆组均匀分布的多个测量点的厚度值,同时,对于所述XY模式,将晶圆圆心作为坐标原点,控制所述传感器探头移动至所述晶圆圆心,以晶圆边缘上缺口所在半径为X轴负半轴,依次测量所述X轴负半轴、Y轴负半轴、X轴正半轴和Y轴正半轴方向上的四段半径,其中,所述传感器探头在每段测量半径上移动的距离为晶圆半径与预设留边宽度的差值。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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