[发明专利]制造半导体晶圆的方法以及制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201610875848.8 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN106571320B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | J·弗伦德;H·奥弗纳;H-J·舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C30B29/06;C30B31/22;C30B33/02 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 郑立柱;董典红 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 制造半导体晶圆的方法的实施例包括：针对半导体晶锭的至少两个位置确定至少一个材料特性。在半导体晶锭中形成沿着轴向延伸的凹口或平面。在半导体晶锭中形成多个标记。沿着轴向处于不同位置的多个标记中的至少一些标记可通过根据至少一个材料特性设置的特性特征来相互区分。然后，将半导体晶锭切分成半导体晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体晶圆的方法，所述方法包括：/n针对半导体晶锭的至少两个位置确定至少一个材料特性；/n在所述半导体晶锭中形成沿着轴向延伸的凹口或平面；/n在所述半导体晶锭的圆周中形成多个标记，其中，沿着所述轴向位于不同位置处的所述多个标记中的至少一些标记通过根据所述至少一个材料特性设置的特性特征来相互区分；以及此后/n将所述半导体晶锭切分成半导体晶圆。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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