[发明专利]发光二极管芯片在审
申请号: | 201610876732.6 | 申请日: | 2016-09-30 |
公开(公告)号: | CN106299072A | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 徐慧文;于正国;李起鸣 | 申请(专利权)人: | 映瑞光电科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 高静,吴敏 |
地址: | 201306 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种发光二极管芯片,包括:操作衬底;位于操作衬底功能面上的第一导电层;位于第一导电层上的管芯,包括第一半导体层和第二半导体层;与第一导电层电连接的第一电极层;与第二半导体层电连接的第二电极层,第二电极层与第一导电层之间设置有第一隔离层。本发明技术方案通过设置在操作衬底的底面上设置第一电极层和第二电极层,且第一电极层与第一导电层电连接,第二电极层与第二半导体层电连接。本发明技术方案在形成发光二极管管芯之后,即可形成第一电极层和第二电极层,无需经过封装端的划片工艺、封装工艺等,简化了工艺步骤,降低了工艺成本,有利于“免封装”技术的实现。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】:
一种发光二极管芯片,其特征在于,包括:操作衬底,包括功能面、所述功能面相对的底面以及位于所述功能面与所述底面之间的侧面;位于所述操作衬底功能面上的第一导电层;位于所述第一导电层上的管芯,包括第一半导体层和第二半导体层,所述第一半导体层和所述第二半导体层导电类型不同,所述第一半导体层与所述第一导电层电连接;位于所述操作衬底底面的第一电极层,与所述第一导电层电连接;位于所述操作衬底底面、侧面以及所述第一导电层侧面的第二电极层,与所述第二半导体层电连接,所述第二电极层与所述第一导电层之间设置有第一隔离层。
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