[发明专利]校准晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201610876793.2 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN107887317B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 刘源;保罗·邦凡蒂 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 余昌昊 |
| 地址： | 201306 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 在本发明提供了一种校准晶片及其制造方法，所述校准晶片包括校准粒子和衬底晶片，将二氧化铈粒子作为校准粒子，因为二氧化铈的熔点高不易被高能量激光损伤，并且该二氧化铈粒子有11种半径大小；相应的所述衬底晶片被划分成M(M为1～11的自然数)个扫描区，每个扫描区内有2～6组半径大小相同的所述校准粒子。当对半径大小不同的粒子进行校准时，激光束在不同的扫描区内扫描，这样避免了激光束照射在全部的粒子上，对粒子造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 校准 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种校准晶片，包括校准粒子和衬底晶片，其特征在于，所述校准粒子是二氧化铈，并且所述校准粒子的半径有11种大小；所述衬底晶片被划分成M个扫描区，分别为第一扫描区、第二扫描区、第三扫描区、......、第M‑1扫描区和第M扫描区，每个扫描区内均有N组半径大小相同的所述校准粒子，M、N为自然数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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