[发明专利]一种形成螺丝帽状硅通孔的刻蚀方法在审
| 申请号： | 201610878031.6 | 申请日： | 2016-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN106449397A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李全宝 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)32257 | 代理人： | 李阳 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种形成螺丝帽状硅通孔的刻蚀方法，根据待形成的螺丝帽状硅通孔获取第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段，在第一刻蚀阶段，采用反应离子刻蚀工艺在硅基底的上端形成坡度为60‑85°的开口；在第二刻蚀阶段，采用抗反射涂层反刻和电感耦合等离子体深硅刻蚀工艺沿开口的底端往下形成垂直的通孔。本发明采用反应离子刻蚀和电感耦合等离子体刻蚀两步体硅刻蚀法，和叠加工艺流程形成所需要的螺丝帽状结构，刻蚀方法简单，可操作性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 螺丝帽 状硅通孔 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种形成螺丝帽状硅通孔的刻蚀方法，其特征在于：根据待形成的螺丝帽状硅通孔获取第一刻蚀阶段和第二刻蚀阶段，在第一刻蚀阶段，采用反应离子刻蚀工艺在硅基底的上端形成坡度为60‑85°的开口；在第二刻蚀阶段，采用抗反射涂层反刻和电感耦合等离子体深硅刻蚀工艺沿开口的底端往下形成垂直的通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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