[发明专利]片式氧传感器芯片在审

专利信息
申请号: 201610878077.8 申请日: 2016-10-09
公开(公告)号: CN106198680A 公开(公告)日: 2016-12-07
发明(设计)人: 丁耀民 申请(专利权)人: 苏州攀特电陶科技股份有限公司
主分类号: G01N27/409 分类号: G01N27/409
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 毕翔宇
地址: 215000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种片式氧传感器芯片。该片式氧传感器芯片的氧差电池单元与发热单元分别制作后用钎焊的方式连接。所述加热层自上而下依次包括上绝缘层、加热电极层、下绝缘层及加热基底层,该加热层可由廉价的非氧化锆陶瓷和加热电极制成;本发明易于实现片式氧传感器芯片的批量化生产,有效解决了现有技术中存在的工艺难度大,制造成本高等问题,可有效提高片式氧传感器芯片性能的一致性,降低片式氧传感器芯片的成本。
搜索关键词: 片式氧 传感器 芯片
【主权项】:
一种片式氧传感器芯片,其特征在于,该片式氧传感器芯片的氧差电池单元与加热单元分别制作后用钎焊的方式连接形成钎焊层;所述氧差电池单元包括依次层叠的多孔保护层、气敏层、参比气层;所述加热单元自上而下依次包括上绝缘层、加热电极层、下绝缘层及加热基底层。
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