[发明专利]单层石墨烯薄膜基复合结构、制备方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201610879181.9 | 申请日： | 2016-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN106449133B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 汪际军 | 申请（专利权）人： | 全普半导体科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01G11/26 | 分类号： | H01G11/26;H01G11/36;H01L33/40;H01L31/0224;B01J21/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单层石墨烯薄膜基复合结构、制备方法及半导体器件，该结构包括单层石墨烯薄膜和在单层石墨烯薄膜表面的纳米线垂直阵列；该纳米线垂直阵列包括至少两层纳米线子阵列，至少两层纳米线子阵列的顶部高度不相同，并且相同层的纳米线子阵列的顶部高度相同，使得纳米线垂直阵列具有高低起伏的顶部。本发明的单层石墨烯薄膜基复合结构，兼具快速载流子迁移率、高的比表面积的优点，并且可以提高单位时间内的吸附或释放电荷的数量以及增大电荷存储量。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 石墨 薄膜 复合 结构 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种单层石墨烯薄膜基复合结构，其特征在于，包括单层石墨烯薄膜和在单层石墨烯薄膜表面的纳米线垂直阵列；所述纳米线垂直阵列包括至少两层纳米线子阵列，至少两层纳米线子阵列的顶部高度不相同，并且同一层纳米线子阵列的纳米线顶部高度相同，使得纳米线垂直阵列具有高低起伏的顶部。
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