[发明专利]一种石墨烯基纳米线复合结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610879358.5 | 申请日： | 2016-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN106348244B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 汪际军 | 申请（专利权）人： | 全普光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/04 | 分类号： | B81B7/04;B81C1/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种石墨烯基纳米线复合结构及其制备方法，采用至少两种不同主族的金属化合物纳米线垂直生长于石墨烯基底上，从而确保石墨烯基底性能的前提下，提高了石墨烯基底的比表面积，以及将至少两种不同主族的金属化合物纳米线的性能与石墨烯的性能相结合，有利于石墨烯材料应用于半导体技术领域中；同时，两种不同主族的金属化合物纳米线的直径不相同，直径大的金属化合物纳米线的表面积占比大于直径小的金属化合物纳米线的表面积占比，此时，直径大的金属化合物纳米线的性能为石墨烯基纳米线复合结构的主要性能，从而通过选择调节纳米线的材料和直径，来实现石墨烯基纳米线复合结构的性能可调节性和灵活可选性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 纳米 复合 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种石墨烯基纳米线复合结构，其特征在于，包括：石墨烯基底；以及垂直生长于石墨烯基底上的至少两种不同主族的金属化合物纳米线；不同主族的所述金属化合物纳米线在一维方向上相间设置；不同主族的所述金属化合物纳米线的直径不相同，同一主族的所述金属化合物纳米线的直径相同；不同主族的所述金属化合物纳米线按照直径从大到小的顺序排列设置，且同一主族的相同直径的所述金属化合物纳米线位于同一直线上或者同一环线上。
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