[发明专利]一种降低GaAs材料杂质浓度的方法和GaAs材料的生长工艺有效
| 申请号： | 201610879771.1 | 申请日： | 2016-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN106367806B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 蒋涛;沈昌乐;王雪敏;吴卫东;湛治强;王新明;彭丽萍;黎维华;邓青华;阎大伟;赵妍;樊龙;肖婷婷;张颖娟;孙亮 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B29/42 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 孙海杰 |
| 地址： | 621000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种降低GaAs材料杂质浓度的方法和GaAs材料的生长工艺，涉及激光器材料领域。降低GaAs材料杂质浓度的方法，其通过对As源进行除气处理降低As源中的杂质含量，除气处理包括以下步骤：在第一温度下进行第一除气步骤，第一温度为100‑200℃；在第二温度下进行至少一次第二除气步骤，第二温度比As生长温度高12‑23℃。此方法能够降低As源的杂质浓度，从而降低采用该As源制得的GaAs材料的杂质浓度。GaAs材料的生长工艺，其以Ga源和通过上述方法处理得到的As源为原料，采用固源分子束外延法进行生长。此工艺采用上述得到的低杂质浓度的As源，有利于生长出质量好的GaAs的晶体，从而提高激光器的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 gaas 材料 杂质 浓度 方法 生长 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种降低GaAs材料杂质浓度的方法，其特征在于，其通过对As源进行除气处理降低所述As源中的杂质含量，所述除气处理包括以下步骤：在第一温度下进行第一除气步骤，所述第一温度为100‑200℃；在第二温度下进行至少一次第二除气步骤，所述第二温度比As生长温度高12‑23℃；所述第一除气步骤和所述第二除气步骤均在As蒸发炉中进行。
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