[发明专利]一种提高532nm波长处量子效率的反射式AlGaAs光电阴极及制备方法在审
| 申请号： | 201610880304.0 | 申请日： | 2016-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN107919256A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 张益军;刘欣欣;冯琤;张翔;汤狸明;常本康;钱芸生;张俊举;刘磊;富容国;邱亚峰 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01J29/04 | 分类号： | H01J29/04;H01J9/12 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心32203 | 代理人： | 薛云燕 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高532nm波长处量子效率的反射式AlGaAs光电阴极及制备方法，该光电阴极由下而上由GaAs衬底层、分布式布拉格反射镜结构的缓冲层、AlGaAs发射层以及Cs/O激活层组成；所述的分布式布拉格反射镜结构的缓冲层由10‑30对的Alx1Ga1‑x1As/Alx2Ga1‑x2As交叠层组成。本发明通过在缓冲层中引入分布式布拉格反射镜结构，通过设置Alx1Ga1‑x1As/Alx2Ga1‑x2As交叠层的厚度、层数以及Al组分值x1和x2，可降低532nm波长处的反射率，提高吸收率，最终提高532nm波长处的光电发射量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 532 nm 波长 量子 效率 反射 algaas 光电 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种提高532nm波长处量子效率的反射式AlGaAs光电阴极，其特征在于：该阴极自下而上由GaAs衬底层(1)、分布式布拉格反射镜结构的缓冲层(2)、Alx3Ga1‑x3As发射层(3)以及Cs/O激活层(4)组成，所述的分布式布拉格反射镜结构的缓冲层(2)由10～30对的Alx1Ga1‑x1As/Alx2Ga1‑x2As交叠层组成。
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