[发明专利]透明光催化薄膜、制备方法及半导体器件在审
申请号: | 201610880627.X | 申请日: | 2016-10-09 |
公开(公告)号: | CN106423131A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 汪际军 | 申请(专利权)人: | 全普光电科技(上海)有限公司 |
主分类号: | B01J21/18 | 分类号: | B01J21/18;B01J23/06;B01J35/00;B01J35/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种透明光催化薄膜、制备方法及半导体器件,通过在透明衬底上垂直生长于透明衬底上的纳米网;纳米网的平面与透明衬底垂直;由半导体光催化材料构成的纳米网具有多个镂空结构,且纳米网的底部与透明衬底通过化学键相键合,该具有透明衬底和垂直纳米网的三维结构,由于纳米网的厚度为纳米线的直径,通过控制纳米线的直径和长度,即可使得纳米网具有透明性质,这样,纳米网的厚度和/或高度都非常微小,可以打破传统光催化材料颗粒越小导致的团聚、波粒二象性的问题,再加上纳米网具有微镂空结构,进一步增加了纳米网的比表面积,提高了光催化效率。 | ||
搜索关键词: | 透明 光催化 薄膜 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】:
一种透明光催化薄膜,其特征在于,包括:一透明衬底;垂直生长于透明衬底上的纳米薄膜;纳米薄膜的平面与透明衬底垂直;所述纳米薄膜的底部与透明衬底通过化学键相键合;纳米薄膜的材料为半导体光催化材料。
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